제조업체 제품 번호:
PSMN8R5-108ESQ
Product Overview
제조사:
NXP USA Inc.
부품 번호:
PSMN8R5-108ESQ-DG
설명:
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
상세 설명:
N-Channel 108 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
재고:
12811991
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제출
PSMN8R5-108ESQ 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
108 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
100A (Tj)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5512 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
263W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
I2PAK
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
기본 제품 번호
PSMN8
추가 정보
다른 이름들
568-11432-5
934068134127
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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