제조업체 제품 번호:
PSMN8R7-80PS,127
Product Overview
제조사:
NXP Semiconductors
부품 번호:
PSMN8R7-80PS,127-DG
설명:
NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80
상세 설명:
N-Channel 80 V 90A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
재고:
6806 새로운 원본 재고 있음
12996518
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제출
PSMN8R7-80PS,127 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
90A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3346 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
170W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220AB
패키지 / 케이스
TO-220-3
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-PSMN8R7-80PS,127-954
표준 패키지
313
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
0000.00.0000
DIGI 인증
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