PUMD17,115
제조업체 제품 번호:

PUMD17,115

Product Overview

제조사:

NXP USA Inc.

부품 번호:

PUMD17,115-DG

설명:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363

재고:

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제출

PUMD17,115 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 바이폴라 트랜지스터 배열, 프리 바이어스
제조사
NXP Semiconductors
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50V
저항기 - 베이스(R1)
47kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
22kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA
빈도 - 전환
-
전력 - 최대
300mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지
SOT-363
기본 제품 번호
PUMD17

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2156-PUMD17,115
NEXNEXPUMD17,115
표준 패키지
15,000

환경 및 수출 분류

(주)헤수스
0000.00.0000
DIGI 인증
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