2N5401G
제조업체 제품 번호:

2N5401G

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

2N5401G-DG

설명:

TRANS PNP 150V 0.6A TO92
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)

재고:

12834138
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제출

2N5401G 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
600 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
150 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
전력 - 최대
625 mW
빈도 - 전환
300MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급업체 장치 패키지
TO-92 (TO-226)
기본 제품 번호
2N5401

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
2N5401GOS
2N5401G-DG
표준 패키지
5,000

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
MMBT5401LT1G
제조사
onsemi
구매 가능 수량
1276
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MMBT5401LT1G-DG
단가
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대체 유형
Direct
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