제조업체 제품 번호:
2N5551CBU
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
2N5551CBU-DG
설명:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
재고:
12834259
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
2N5551CBU 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
600 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
160 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
전력 - 최대
625 mW
빈도 - 전환
100MHz
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
기본 제품 번호
2N5551
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
