제조업체 제품 번호:
2N7000G
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
2N7000G-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
상세 설명:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
재고:
12834682
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제출
2N7000G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
200mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
60 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
350mW (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92 (TO-226)
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
기본 제품 번호
2N7000
추가 정보
다른 이름들
2N7000GOS
2N7000G-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
대체 모델
DIGI 인증
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