제조업체 제품 번호:
2SB1508R
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
2SB1508R-DG
설명:
2SB1508 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 12 A 10MHz 3 W Through Hole TO-3PML
재고:
905 새로운 원본 재고 있음
12973604
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제출
2SB1508R 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
12 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 300mA, 6A
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 1A, 2V
전력 - 최대
3 W
빈도 - 전환
10MHz
작동 온도
150°C (TJ)
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-3P-3 Full Pack
공급업체 장치 패키지
TO-3PML
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-2SB1508R-488
표준 패키지
293
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Vendor Undefined
REACH 상태
REACH Unaffected
DIGI 인증
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