2SC3646S-P-TD-E
제조업체 제품 번호:

2SC3646S-P-TD-E

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

2SC3646S-P-TD-E-DG

설명:

TRANS NPN 100V 1A
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 500 mW Surface Mount PCP

재고:

12832998
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제출

2SC3646S-P-TD-E 기술 사양

카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
100 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
400mV @ 40mA, 400mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
전력 - 최대
500 mW
빈도 - 전환
120MHz
작동 온도
-
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-243AA
공급업체 장치 패키지
PCP
기본 제품 번호
2SC3646

추가 정보

다른 이름들
2156-2SC3646S-P-TD-E
ONSONS2SC3646S-P-TD-E
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075

대체 모델

부품 번호
2SC3646S-TD-E
제조사
onsemi
구매 가능 수량
3175
부품 번호
2SC3646S-TD-E-DG
단가
0.16
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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