제조업체 제품 번호:
2SD734F
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
2SD734F-DG
설명:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
상세 설명:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
재고:
39500 새로운 원본 재고 있음
12976780
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제출
2SD734F 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일 양극 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
700 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
20 V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
전력 - 최대
600 mW
빈도 - 전환
250MHz
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급업체 장치 패키지
3-NP
추가 정보
다른 이름들
2156-2SD734F
표준 패키지
2,219
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
DIGI 인증
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