제조업체 제품 번호:
2SK4125-1EX
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
2SK4125-1EX-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P-3L
상세 설명:
N-Channel 600 V 17A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3P-3L
재고:
12833658
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제출
2SK4125-1EX 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
17A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
610mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도
150°C (TA)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3P-3L
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
기본 제품 번호
2SK4125
추가 정보
표준 패키지
1
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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