2SK4210
제조업체 제품 번호:

2SK4210

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

2SK4210-DG

설명:

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
상세 설명:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB

재고:

12836327
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

2SK4210 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1500 pF @ 30 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-3PB
패키지 / 케이스
TO-3P-3, SC-65-3
기본 제품 번호
2SK4210

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
표준 패키지
100

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
TK9J90E,S1E
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
TK9J90E,S1E-DG
단가
1.07
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

FDB38N30U

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

onsemi

FCA20N60F

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

onsemi

FDI2532

MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK

onsemi

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK