제조업체 제품 번호:
ATP113-TL-H
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
ATP113-TL-H-DG
설명:
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
상세 설명:
P-Channel 60 V 35A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount ATPAK
재고:
2834 새로운 원본 재고 있음
12834773
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제출
ATP113-TL-H 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
-
제품 상태
Active
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
29.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2400 pF @ 20 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
50W (Tc)
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
ATPAK
패키지 / 케이스
ATPAK (2 Leads+Tab)
기본 제품 번호
ATP113
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSATP113-TL-H
869-1077-2
869-1077-1
ATP113TLH
2156-ATP113-TL-H-OS
869-1077-6
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
NP36P06SLG-E1-AY
제조사
Renesas Electronics Corporation
구매 가능 수량
6232
부품 번호
NP36P06SLG-E1-AY-DG
단가
0.66
대체 유형
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