제조업체 제품 번호:
DTB113E
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
DTB113E-DG
설명:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
재고:
115000 새로운 원본 재고 있음
12934161
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제출
DTB113E 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
Bulk
시리즈
-
제품 상태
Active
트랜지스터 유형
PNP - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
50 V
저항기 - 베이스(R1)
1 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(R2)
1 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
500nA
전력 - 최대
350 mW
급
-
자격
-
실장 형
Through Hole
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급업체 장치 패키지
TO-92 (TO-226)
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSDTB113E
2156-DTB113E
표준 패키지
11,539
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
RoHS non-compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Affected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
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