제조업체 제품 번호:
EFC4618R-P-TR
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
EFC4618R-P-TR-DG
설명:
MOSFET 2N-CH EFCP1818
상세 설명:
Mosfet Array 1.6W Surface Mount EFCP1818-4CC-037
재고:
12839469
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
EFC4618R-P-TR 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인-소스 전압(Vdss)
-
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
-
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
-
Vgs(일) (최대) @ Id
-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
25.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-
전력 - 최대
1.6W
작동 온도
150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
4-XFBGA, FCBGA
공급업체 장치 패키지
EFCP1818-4CC-037
기본 제품 번호
EFC4618
추가 정보
다른 이름들
2156-EFC4618R-P-TR
2156-EFC4618R-P-TR-ONTR-DG
ONSONSEFC4618R-P-TR
표준 패키지
5,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
FDS8926A
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
NTJD4152PT2G
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
FW217A-TL-2WX
MOSFET N-CH 35V 8SOIC
