제조업체 제품 번호:
FCH077N65F-F085
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCH077N65F-F085-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 54A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247-3
재고:
900 새로운 원본 재고 있음
12850297
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제출
FCH077N65F-F085 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
54A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
77mOhm @ 27A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
7162 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
481W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
FCH077
데이터 시트 및 문서
데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2832-FCH077N65F-F085-488
FCH077N65F_F085
FCH077N65F_F085-DG
2832-FCH077N65F-F085
표준 패키지
30
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK35N65W5,S1F
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
26
부품 번호
TK35N65W5,S1F-DG
단가
4.37
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