제조업체 제품 번호:
FCH099N60E
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCH099N60E-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
재고:
12846675
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FCH099N60E 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
37A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3465 pF @ 380 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
357W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
FCH099
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FCH099N60E-OS
ONSONSFCH099N60E
표준 패키지
450
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM60NB099PW C1G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
2055
부품 번호
TSM60NB099PW C1G-DG
단가
4.18
대체 유형
Similar
부품 번호
IPW65R125C7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
80
부품 번호
IPW65R125C7XKSA1-DG
단가
2.31
대체 유형
Similar
부품 번호
SCT3080ALGC11
제조사
Rohm Semiconductor
구매 가능 수량
1587
부품 번호
SCT3080ALGC11-DG
단가
6.38
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
