제조업체 제품 번호:
FCH190N65F-F155
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCH190N65F-F155-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
상세 설명:
N-Channel 650 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
재고:
415 새로운 원본 재고 있음
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제출
FCH190N65F-F155 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
FRFET®, SuperFET® II
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 2mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3225 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-247-3
패키지 / 케이스
TO-247-3
기본 제품 번호
FCH190
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FCH190N65F_F155-DG
FCH190N65F_F155
표준 패키지
450
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPW60R180C7XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
218
부품 번호
IPW60R180C7XKSA1-DG
단가
1.58
대체 유형
Similar
부품 번호
IPW60R165CPFKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
200
부품 번호
IPW60R165CPFKSA1-DG
단가
2.54
대체 유형
Direct
부품 번호
TK20N60W,S1VF
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
15
부품 번호
TK20N60W,S1VF-DG
단가
2.83
대체 유형
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