제조업체 제품 번호:
FCMT099N65S3
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCMT099N65S3-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
상세 설명:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88
재고:
12849071
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제출
FCMT099N65S3 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
SuperFET® III
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 3mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2270 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
227W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
Power88
패키지 / 케이스
4-PowerTSFN
기본 제품 번호
FCMT099
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
488-FCMT099N65S3CT
488-FCMT099N65S3TR
FCMT099N65S3-DG
488-FCMT099N65S3DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPL60R104C7AUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
8950
부품 번호
IPL60R104C7AUMA1-DG
단가
2.79
대체 유형
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