FCP099N65S3
제조업체 제품 번호:

FCP099N65S3

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FCP099N65S3-DG

설명:

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3

재고:

12838698
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제출

FCP099N65S3 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
SuperFET® III
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 3mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2480 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
227W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FCP099

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IXFP34N65X2
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
부품 번호
IXFP34N65X2-DG
단가
3.29
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대체 유형
Parametric Equivalent
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