FCP11N60N-F102
제조업체 제품 번호:

FCP11N60N-F102

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FCP11N60N-F102-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
상세 설명:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220F

재고:

12839064
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

FCP11N60N-F102 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1505 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
94W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FCP11

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FCP11N60N_F102
FCP11N60N_F102-DG
표준 패키지
800

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IXTP12N65X2M
제조사
IXYS
구매 가능 수량
0
부품 번호
IXTP12N65X2M-DG
단가
2.40
대체 유형
Similar
부품 번호
CDM22011-600LRFP SL
제조사
Central Semiconductor Corp
구매 가능 수량
578
부품 번호
CDM22011-600LRFP SL-DG
단가
1.14
대체 유형
Similar
부품 번호
SIHA14N60E-E3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
SIHA14N60E-E3-DG
단가
0.89
대체 유형
Similar
부품 번호
AOTF11S60L
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
0
부품 번호
AOTF11S60L-DG
단가
1.01
대체 유형
Similar
부품 번호
STF13NM60N
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
1174
부품 번호
STF13NM60N-DG
단가
1.77
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

FQB3N40TM

MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK

onsemi

FCH130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO247-3

onsemi

FDS6672A

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

infineon-technologies

BSP135 E6906

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4