제조업체 제품 번호:
FCP16N60N-F102
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCP16N60N-F102-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
상세 설명:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220F
재고:
12839290
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FCP16N60N-F102 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
199mOhm @ 8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2170 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
134.4W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FCP16
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FCP16N60N_F102-DG
FCP16N60N_F102
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPA60R190P6XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
188
부품 번호
IPA60R190P6XKSA1-DG
단가
1.19
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
FQD1P50TF
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
FDB7030BL
MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
