제조업체 제품 번호:
FCP190N60
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCP190N60-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12850527
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제출
FCP190N60 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2950 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FCP190
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSFCP190N60
2156-FCP190N60-OS
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPP65R190E6XKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
580
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IPP65R190E6XKSA1-DG
단가
1.52
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