FCP190N60E
제조업체 제품 번호:

FCP190N60E

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FCP190N60E-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3

재고:

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제출

FCP190N60E 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3175 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
208W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FCP190

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FCP190N60EOS
FCP190N60E-DG
표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STP24N60M2
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
189
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STP24N60M2-DG
단가
1.21
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