제조업체 제품 번호:
FCPF150N65F
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCPF150N65F-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
상세 설명:
N-Channel 650 V 14.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
재고:
12849358
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FCPF150N65F 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
-
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14.9A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 2.4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3737 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
39W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FCPF150
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
1990-FCPF150N65F
FCPF150N65F-DG
ONSONSFCPF150N65F
2156-FCPF150N65F-OS
FCPF150N65FOS
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK16A60W5,S4VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
30
부품 번호
TK16A60W5,S4VX-DG
단가
1.15
대체 유형
Similar
부품 번호
TK16A60W,S4X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
0
부품 번호
TK16A60W,S4X-DG
단가
2.02
대체 유형
Similar
부품 번호
TK20A60W5,S5VX
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
50
부품 번호
TK20A60W5,S5VX-DG
단가
1.37
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
