제조업체 제품 번호:
FCPF190N60E-F152
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCPF190N60E-F152-DG
설명:
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
재고:
12839604
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제출
FCPF190N60E-F152 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
20.6A (Tc)
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
82 nC @ 10 V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3175 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
39W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FCPF190
추가 정보
다른 이름들
FCPF190N60E_F152
FCPF190N60E_F152-DG
2156-FCPF190N60E-F152-488
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
AOTF20S60L
제조사
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
구매 가능 수량
977
부품 번호
AOTF20S60L-DG
단가
1.34
대체 유형
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