제조업체 제품 번호:
FCPF190N65S3L1
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCPF190N65S3L1-DG
설명:
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
상세 설명:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3
재고:
12847029
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제출
FCPF190N65S3L1 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
SuperFET® III
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
14A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 1.4mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1225 pF @ 400 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
33W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FCPF190
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2156-FCPF190N65S3L1-OS
ONSONSFCPF190N65S3L1
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TSM60NB150CF C0G
제조사
Taiwan Semiconductor Corporation
구매 가능 수량
15
부품 번호
TSM60NB150CF C0G-DG
단가
4.44
대체 유형
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