제조업체 제품 번호:
FCPF650N80Z
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FCPF650N80Z-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
상세 설명:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
재고:
986 새로운 원본 재고 있음
12851558
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제출
FCPF650N80Z 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
SuperFET® II
제품 상태
Not For New Designs
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 800µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1565 pF @ 100 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
30.5W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220F-3
패키지 / 케이스
TO-220-3 Full Pack
기본 제품 번호
FCPF650
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSFCPF650N80Z
2156-FCPF650N80Z-OS
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK8A65D(STA4,Q,M)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
53
부품 번호
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
단가
0.92
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제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
383
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단가
0.42
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