제조업체 제품 번호:
FDC5612
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDC5612-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
상세 설명:
N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
재고:
4007 새로운 원본 재고 있음
12850493
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDC5612 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
650 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.6W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SuperSOT™-6
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
FDC5612
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FDC5612CT
FDC5612TR
FDC5612DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
관련 상품
FQA32N20C
MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN
FDMB506P
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
AOI5N40
MOSFET N-CH 400V 4.2A TO251A
