제조업체 제품 번호:
FDC638P-P
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDC638P-P-DG
설명:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
상세 설명:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
재고:
12997490
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제출
FDC638P-P 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
P-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(일) (최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)
±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.6W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SuperSOT™-6
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
기본 제품 번호
FDC638
추가 정보
다른 이름들
488-FDC638P-PTR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
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