제조업체 제품 번호:
FDC8602
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDC8602-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6
상세 설명:
Mosfet Array 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6
재고:
16909 새로운 원본 재고 있음
12838654
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDC8602 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.2A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
350mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
70pF @ 50V
전력 - 최대
690mW
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지
SuperSOT™-6
기본 제품 번호
FDC8602
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FDC8602CT
FDC8602TR
2156-FDC8602-488
FDC8602DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
EFC6604R-TR
MOSFET 2N-CH 6EFCP
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
FDC6310P
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
