제조업체 제품 번호:
FDD3670
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDD3670-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
상세 설명:
N-Channel 100 V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
2496 새로운 원본 재고 있음
12848304
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제출
FDD3670 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
34A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2490 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.8W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
FDD367
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FDD3670-DG
FDD3670CT
FDD3670TR
FDD3670DKR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD30N10S3L34ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
35870
부품 번호
IPD30N10S3L34ATMA1-DG
단가
0.48
대체 유형
Similar
부품 번호
BUK7240-100A,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
19864
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BUK7240-100A,118-DG
단가
0.58
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