제조업체 제품 번호:
FDD8586
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDD8586-DG
설명:
MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
상세 설명:
N-Channel 20 V 35A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
12836790
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제출
FDD8586 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
20 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2480 pF @ 10 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
77W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
FDD858
추가 정보
다른 이름들
FDD8586CT
FDD8586DKR
FDD8586TR
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFR3711ZTRPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7103
부품 번호
IRFR3711ZTRPBF-DG
단가
0.42
대체 유형
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