제조업체 제품 번호:
FDD8882
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDD8882-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 12.6/55A TO252AA
상세 설명:
N-Channel 30 V 12.6A (Ta), 55A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
343 새로운 원본 재고 있음
12847791
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제출
FDD8882 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1260 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
55W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
FDD888
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FDD8882DKR
ONSONSFDD8882
FDD8882TR
FDD8882-DG
2156-FDD8882-OS
2832-FDD8882TR
FDD8882CT
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPD30N03S4L14ATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
18945
부품 번호
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
단가
0.28
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