제조업체 제품 번호:
FDMD86100
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDMD86100-DG
설명:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
상세 설명:
Mosfet Array 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
재고:
1093 새로운 원본 재고 있음
12848017
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제출
FDMD86100 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET 배열
제조사
onsemi
포장
Tape & Reel (TR)
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Last Time Buy
기술
MOSFET (Metal Oxide)
구성
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2060pF @ 50V
전력 - 최대
2.2W
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지
8-Power 5x6
기본 제품 번호
FDMD86
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FDMD86100CT
FDMD86100TR
FDMD86100DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
DIGI 인증
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