제조업체 제품 번호:
FDMS8660AS
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDMS8660AS-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
12850393
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDMS8660AS 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
28A (Ta), 49A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 28A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
5865 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
FDMS86
추가 정보
다른 이름들
FDMS8660ASDKR
FDMS8660ASTR
FDMS8660ASCT
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
PSMN2R0-30YL,115
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
20769
부품 번호
PSMN2R0-30YL,115-DG
단가
0.57
대체 유형
Similar
부품 번호
BSC020N03MSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
32523
부품 번호
BSC020N03MSGATMA1-DG
단가
0.55
대체 유형
Similar
부품 번호
BSC016N03MSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
14757
부품 번호
BSC016N03MSGATMA1-DG
단가
0.60
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
AO4701
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
AONS66920
MOSFET N-CH 100V 17.5A/48A 8DFN
