제조업체 제품 번호:
FDMS8888
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDMS8888-DG
설명:
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
상세 설명:
N-Channel 30 V 13.5A (Ta), 21A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
재고:
12836747
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDMS8888 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 21A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1585 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스
8-PowerTDFN
기본 제품 번호
FDMS88
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
ONSONSFDMS8888
FDMS8888-DG
FDMS8888TR
2156-FDMS8888-OS
FDMS8888CT
FDMS8888DKR
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
BSC080N03LSGATMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
5137
부품 번호
BSC080N03LSGATMA1-DG
단가
0.26
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
FDMC0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
FQPF6N80T
MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F
