FDN5630-B8
제조업체 제품 번호:

FDN5630-B8

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FDN5630-B8-DG

설명:

FET 60V 1.0 MOHM SSOT3
상세 설명:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

재고:

12975173
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

FDN5630-B8 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
100mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
500mW (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

추가 정보

다른 이름들
488-FDN5630-B8TR
표준 패키지
3,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0095
DIGI 인증
관련 상품
infineon-technologies

IPT65R099CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 8HSOF

goford-semiconductor

G65P06D5

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

micro-commercial-components

2N7002KM-TP

N-CHANNEL MOSFET SOT-723

micro-commercial-components

MCG25P06Y-TP

P-CHANNEL MOSFET,DFN3333