제조업체 제품 번호:
FDP039N08B-F102
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDP039N08B-F102-DG
설명:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
422 새로운 원본 재고 있음
12838177
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제출
FDP039N08B-F102 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
9450 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
214W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FDP039
추가 정보
다른 이름들
FDP039N08B_F102
FDP039N08B_F102-DG
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK65E10N1,S1X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
1055
부품 번호
TK65E10N1,S1X-DG
단가
1.16
대체 유형
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