제조업체 제품 번호:
FDP52N20
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDP52N20-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 200 V 52A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12848622
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDP52N20 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
UniFET™
제품 상태
Active
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
52A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
49mOhm @ 26A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
357W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FDP52
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRFB260NPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
1094
부품 번호
IRFB260NPBF-DG
단가
1.16
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
AON7444L
MOSFET N-CH 60V 8DFN
NTMS4177PR2G
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
AON7412
MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
