제조업체 제품 번호:
FDP86363-F085
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDP86363-F085-DG
설명:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
176 새로운 원본 재고 있음
12845742
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제출
FDP86363-F085 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tube
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
80 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
10000 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
300W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
급
Automotive
자격
AEC-Q101
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FDP86363
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
2166-FDP86363-F085-488
FDP86363_F085-DG
FDP86363_F085
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IPP120N08S403AKSA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
8142
부품 번호
IPP120N08S403AKSA1-DG
단가
2.58
대체 유형
Direct
부품 번호
TK100E10N1,S1X
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
4370
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TK100E10N1,S1X-DG
단가
1.66
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0
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