FDP8N50NZ
제조업체 제품 번호:

FDP8N50NZ

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FDP8N50NZ-DG

설명:

MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3

재고:

12846097
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제출

FDP8N50NZ 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
UniFET™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
735 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
130W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FDP8

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

표준 패키지
50

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF840LPBF
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
0
부품 번호
IRF840LPBF-DG
단가
1.40
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