제조업체 제품 번호:
FDS3680
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FDS3680-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
상세 설명:
N-Channel 100 V 5.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
재고:
12837209
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FDS3680 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
6V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
46mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1735 pF @ 50 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
FDS36
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
2,500
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
SI4100DY-T1-GE3
제조사
Vishay Siliconix
구매 가능 수량
7295
부품 번호
SI4100DY-T1-GE3-DG
단가
0.43
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
FDMS7578
MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
