FDS6692A
제조업체 제품 번호:

FDS6692A

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FDS6692A-DG

설명:

MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
상세 설명:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

재고:

12846166
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제출

FDS6692A 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
시리즈
PowerTrench®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
4.5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1610 pF @ 15 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1.47W (Ta)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
8-SOIC
패키지 / 케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기본 제품 번호
FDS6692

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FDS6692ACT
FDS6692ATR
FDS6692ADKR
2832-FDS6692A
표준 패키지
2,500

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
BSO110N03MSGXUMA1
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7364
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단가
0.32
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단가
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