제조업체 제품 번호:
FJV3112RMTF
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FJV3112RMTF-DG
설명:
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3
상세 설명:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
재고:
12835620
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제출
FJV3112RMTF 기술 사양
카테고리
바이폴라 (BJT), 단일, 프리바이즈드 바이폴라 트랜지스터
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
-
제품 상태
Obsolete
트랜지스터 유형
NPN - Pre-Biased
전류 - 컬렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
40 V
저항기 - 베이스(R1)
47 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce 포화도(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 컬렉터 컷오프(최대)
100nA (ICBO)
빈도 - 전환
250 MHz
전력 - 최대
200 mW
실장 형
Surface Mount
패키지 / 케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급업체 장치 패키지
SOT-23-3
기본 제품 번호
FJV311
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
3,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.21.0075
대체 모델
부품 번호
RN1413(TE85L,F)
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
115
부품 번호
RN1413(TE85L,F)-DG
단가
0.03
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