제조업체 제품 번호:
FQB2N80TM
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQB2N80TM-DG
설명:
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
재고:
12846217
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제출
FQB2N80TM 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
800 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
550 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
FQB2
추가 정보
표준 패키지
800
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
IRF540NSTRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7309
부품 번호
IRF540NSTRLPBF-DG
단가
0.52
대체 유형
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