FQB6N60CTM
제조업체 제품 번호:

FQB6N60CTM

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FQB6N60CTM-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

재고:

12848047
견적 요청
수량
최소 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출

FQB6N60CTM 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-263 (D2PAK)
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
FQB6

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

표준 패키지
800

환경 및 수출 분류

수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
STB4NK60ZT4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
4369
부품 번호
STB4NK60ZT4-DG
단가
0.77
대체 유형
Similar
DIGI 인증
관련 상품
onsemi

FDS3692

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC

onsemi

FDMC2674

MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

onsemi

FQP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3

onsemi

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4