제조업체 제품 번호:
FQD4N20LTF
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQD4N20LTF-DG
설명:
MOSFET N-CH 200V 3.2A DPAK
상세 설명:
N-Channel 200 V 3.2A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
재고:
12850127
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
FQD4N20LTF 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
5V, 10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
TO-252AA
패키지 / 케이스
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
기본 제품 번호
FQD4
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
표준 패키지
2,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
DIGI 인증
관련 상품
AON6734
MOSFET N-CH 30V 37A/85A 8DFN
IRFW630BTM-FP001
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
AON6370P
MOSFET N-CH 30V 23A DFN
