FQI27N25TU
제조업체 제품 번호:

FQI27N25TU

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FQI27N25TU-DG

설명:

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
상세 설명:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

재고:

12850043
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제출

FQI27N25TU 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25.5A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
2450 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-262 (I2PAK)
패키지 / 케이스
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
기본 제품 번호
FQI27N25

데이터 시트 및 문서

데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FAIFSCFQI27N25TU
2156-FQI27N25TU-OS
표준 패키지
1,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
IRF640NLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
794
부품 번호
IRF640NLPBF-DG
단가
0.90
대체 유형
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