FQN1N60CTA
제조업체 제품 번호:

FQN1N60CTA

Product Overview

제조사:

onsemi

부품 번호:

FQN1N60CTA-DG

설명:

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
상세 설명:
N-Channel 600 V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3

재고:

17584 새로운 원본 재고 있음
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제출

FQN1N60CTA 기술 사양

카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
Tape & Box (TB)
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
300mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
11.5Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
1W (Ta), 3W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-92-3
패키지 / 케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
기본 제품 번호
FQN1N60

데이터 시트 및 문서

데이터시트
HTML 데이터시트

추가 정보

다른 이름들
FQN1N60CTA-DG
FQN1N60CTATB
FQN1N60CTACT
FQN1N60CTADKR-DG
FQN1N60CTADKR
FQN1N60CTADKRINACTIVE
표준 패키지
2,000

환경 및 수출 분류

RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095

대체 모델

부품 번호
FQN1N50CTA
제조사
onsemi
구매 가능 수량
3302
부품 번호
FQN1N50CTA-DG
단가
0.24
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STQ1NK60ZR-AP
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
7349
부품 번호
STQ1NK60ZR-AP-DG
단가
0.17
대체 유형
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