제조업체 제품 번호:
FQP16N25
Product Overview
제조사:
onsemi
부품 번호:
FQP16N25-DG
설명:
MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
상세 설명:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 142W (Tc) Through Hole TO-220-3
재고:
12846376
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제출
FQP16N25 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
onsemi
포장
-
시리즈
QFET®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
250 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
16A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
230mOhm @ 8A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
142W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형
Through Hole
공급업체 장치 패키지
TO-220-3
패키지 / 케이스
TO-220-3
기본 제품 번호
FQP16
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
FQP16N25FS
FQP16N25-DG
표준 패키지
50
환경 및 수출 분류
RoHS 준수 여부
ROHS3 Compliant
수분 민감도 수준(MSL)
Not Applicable
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
TK13E25D,S1X(S
제조사
Toshiba Semiconductor and Storage
구매 가능 수량
44
부품 번호
TK13E25D,S1X(S-DG
단가
0.86
대체 유형
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